- Модель продукта GAN7R0-150LBEZ
- Бренд Nexperia
- RoHS Yes
- Описание 150 V, 7 MOHM GALLIUM NITRIDE (G
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:5557
Технические детали
- Тип монтажа 3-VLGA
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 28A
- Сопротивление при 25°C 7mOhm @ 10A, 5V
- Материал феррулы 28W
- Барьерный тип 2.1V @ 5mA
- Максимальное переменное напряжение 3-FCLGA (3.2x2.2)
- Длина ремня 5V
- Шаг Количество +6V, -4V
- 150 V
- 7.6 nC @ 5 V
- 865 pF @ 85 V