Инвентаризация:5557

Технические детали

  • Тип монтажа 3-VLGA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 28A
  • Сопротивление при 25°C 7mOhm @ 10A, 5V
  • Материал феррулы 28W
  • Барьерный тип 2.1V @ 5mA
  • Максимальное переменное напряжение 3-FCLGA (3.2x2.2)
  • Длина ремня 5V
  • Шаг Количество +6V, -4V
  • 150 V
  • 7.6 nC @ 5 V
  • 865 pF @ 85 V

Сопутствующие товары


GANFET N-CH 150V 48A DIE

Инвентаризация: 5655

TRANS GAN 170V DIE .009OHM

Инвентаризация: 28265

TRANS GAN 100V DIE .0018OHM

Инвентаризация: 49640

650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (

Инвентаризация: 1985

650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE

Инвентаризация: 2376

650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE

Инвентаризация: 1971

100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE

Инвентаризация: 815

MOSFET P-CH 45V 8A TO252

Инвентаризация: 2409

650 V 95 A GAN FET

Инвентаризация: 713

Top