- Модель продукта GAN190-650FBEZ
- Бренд Nexperia
- RoHS Yes
- Описание 650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:3471
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerVDFN
- Количество витков Surface Mount, Wettable Flank
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 11.5A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 190mOhm @ 3.9A, 6V
- Материал феррулы 125W (Ta)
- Барьерный тип 2.5V @ 12.2mA
- Максимальное переменное напряжение DFN5060-5
- Длина ремня 6V
- Шаг Количество +7V, -1.4V
- 650 V
- 2.8 nC @ 6 V
- 96 pF @ 400 V