- Модель продукта TP65H300G4LSG-TR
- Бренд Transphorm
- RoHS No
- Описание GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:8007
Технические детали
- Тип монтажа 3-PowerDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 6.5A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 312mOhm @ 5A, 8V
- Материал феррулы 21W (Tc)
- Барьерный тип 2.6V @ 500µA
- Максимальное переменное напряжение 3-PQFN (8x8)
- Длина ремня 8V
- Шаг Количество ±18V
- 650 V
- 9.6 nC @ 8 V
- 760 pF @ 400 V