Инвентаризация:2090

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C
  • Функция - Освещение GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 46.5A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 41mOhm @ 30A, 10V
  • Материал феррулы 156W (Tc)
  • Барьерный тип 4.8V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-3
  • Длина ремня 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 650 V
  • 22 nC @ 0 V
  • 1500 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE

Инвентаризация: 815

GANFET N-CH

Инвентаризация: 2923

HIGH POWER_NEW

Инвентаризация: 231

650 V 95 A GAN FET

Инвентаризация: 713

GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3

Инвентаризация: 302

650 V 34 A GAN FET

Инвентаризация: 213

GANFET N-CH 650V 29A TO220

Инвентаризация: 1076

GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN

Инвентаризация: 6507

Top