- Модель продукта TP65H070G4PS
- Бренд Transphorm
- RoHS Yes
- Описание GANFET N-CH 650V 29A TO220
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2576
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 29A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 85mOhm @ 18A, 10V
- Материал феррулы 96W (Tc)
- Барьерный тип 4.7V @ 700µA
- Максимальное переменное напряжение TO-220AB
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 650 V
- 9 nC @ 10 V
- 638 pF @ 400 V