Инвентаризация:2576

Технические детали

  • Тип монтажа TO-220-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 29A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 85mOhm @ 18A, 10V
  • Материал феррулы 96W (Tc)
  • Барьерный тип 4.7V @ 700µA
  • Максимальное переменное напряжение TO-220AB
  • Длина ремня 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 650 V
  • 9 nC @ 10 V
  • 638 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


HIGH POWER_NEW

Инвентаризация: 198

650 V 95 A GAN FET

Инвентаризация: 713

GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3

Инвентаризация: 590

GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3

Инвентаризация: 302

650 V 34 A GAN FET

Инвентаризация: 193

650 V 34 A GAN FET

Инвентаризация: 213

GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8

Инвентаризация: 2981

GAN FET N-CH 650V TO-220

Инвентаризация: 3027

Top