- Модель продукта TP65H150G4PS
- Бренд Transphorm
- RoHS Yes
- Описание GAN FET N-CH 650V TO-220
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 16A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 180mOhm @ 8.5A, 10V
- Материал феррулы 83W (Tc)
- Барьерный тип 4.8V @ 500µA
- Максимальное переменное напряжение TO-220AB
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 650 V
- 8 nC @ 10 V
- 598 pF @ 400 V
Сопутствующие товары
60M 650V SIC AUTOMOTIVE MOSFET
Инвентаризация: 39
MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3
Инвентаризация: 471
MOSFET N-CH 650V 4.7A TO251-3
Инвентаризация: 0
650 V 95 A GAN FET
Инвентаризация: 713
650 V 46.5 GAN FET
Инвентаризация: 281
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Инвентаризация: 302
650 V 34 A GAN FET
Инвентаризация: 213
650 V 35 A GAN FET HIGH VOLTAGE
Инвентаризация: 402
GANFET N-CH 650V 29A TO220
Инвентаризация: 1076
GAN FET N-CH 650V PQFN
Инвентаризация: 2834
