- Модель продукта IPS60R1K0PFD7SAKMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 650V 4.7A TO251-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 4.7A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 1Ohm @ 1A, 10V
- Материал феррулы 26W (Tc)
- Барьерный тип 4.5V @ 50µA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO251-3
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 650 V
- 6 nC @ 10 V
- 230 pF @ 400 V