- Модель продукта TP65H050G4YS
- Бренд Transphorm
- RoHS Yes
- Описание 650 V 35 A GAN FET HIGH VOLTAGE
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-247-4
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 35A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 60mOhm @ 22A, 10V
- Материал феррулы 132W (Tc)
- Барьерный тип 4.8V @ 700µA
- Максимальное переменное напряжение TO-247-4L
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 650 V
- 24 nC @ 10 V
- 1000 pF @ 400 V
Сопутствующие товары
650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W
Инвентаризация: 737
GANFET N-CH
Инвентаризация: 2923
650 V 95 A GAN FET
Инвентаризация: 713
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Инвентаризация: 590
650 V 34 A GAN FET
Инвентаризация: 193
650 V 34 A GAN FET
Инвентаризация: 213
GANFET N-CH 650V 29A TO220
Инвентаризация: 1076
GAN FET N-CH 650V TO-220
Инвентаризация: 3027
