Инвентаризация:2478

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 6A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 346mOhm @ 3.6A, 18V
  • Материал феррулы 65W (Tc)
  • Барьерный тип 5.7V @ 1.1mA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TO263-7-12
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +23V, -5V
  • 650 V
  • 6 nC @ 18 V
  • 201 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


650V 120M SIC MOSFET

Инвентаризация: 1475

650V 120M SIC MOSFET

Инвентаризация: 597

SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7

Инвентаризация: 16012

SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7

Инвентаризация: 3651

SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

Инвентаризация: 909

MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

Инвентаризация: 631

MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

Инвентаризация: 460

GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN

Инвентаризация: 6507

GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN

Инвентаризация: 2815

Top