Инвентаризация:17512

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 11A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 360mOhm @ 7.5A, 15V
  • Материал феррулы 50W (Tc)
  • Барьерный тип 3.5V @ 1.2mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-263-7
  • Длина ремня 15V
  • Шаг Количество +18V, -8V
  • 900 V
  • 9.5 nC @ 15 V
  • 150 pF @ 600 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 900V 11.5A TO247-3

Инвентаризация: 8347

SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7

Инвентаризация: 1213

SIC MOSFET N-CH 19A TO263-7

Инвентаризация: 1059

SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3

Инвентаризация: 8523

SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7

Инвентаризация: 3651

SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

Инвентаризация: 978

Top