- Модель продукта G3R350MT12J
- Бренд GeneSiC Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:5151
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 11A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 420mOhm @ 4A, 15V
- Материал феррулы 75W (Tc)
- Барьерный тип 2.69V @ 2mA
- Максимальное переменное напряжение TO-263-7
- Длина ремня 15V
- Шаг Количество ±15V
- 1200 V
- 12 nC @ 15 V
- 334 pF @ 800 V
Сопутствующие товары
1200V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Инвентаризация: 4800
SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3
Инвентаризация: 8523
1200V 350M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Инвентаризация: 770
SIC MOSFET N-CH 9A TO263-7
Инвентаризация: 6250
SICFET N-CH 1.2KV 18A TO263
Инвентаризация: 186
