- Модель продукта G3R350MT12J-TR
- Бренд GeneSiC Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание 1200V 350M TO-263-7 G3R SIC MOSF
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 10A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 395mOhm @ 4A, 18V
- Материал феррулы 64W (Tc)
- Барьерный тип 2.7V @ 2mA
- Максимальное переменное напряжение TO-263-7
- Длина ремня 15V, 18V
- Шаг Количество +22V, -10V
- 1200 V
- 10 nC @ 15 V
- 331 pF @ 800 V
Сопутствующие товары
SICFET N-CH 1200V 7.2A TO263-7
Инвентаризация: 646
SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3
Инвентаризация: 3704
SIC MOSFET N-CH 19A TO263-7
Инвентаризация: 1059
1200V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Инвентаризация: 4800
SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3
Инвентаризация: 8523
SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7
Инвентаризация: 3651
1200V 75M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
Инвентаризация: 5968
