- Модель продукта G3R160MT12D
- Бренд GeneSiC Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:5204
Технические детали
- Тип монтажа TO-247-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 22A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 192mOhm @ 10A, 15V
- Материал феррулы 123W (Tc)
- Барьерный тип 2.69V @ 5mA
- Максимальное переменное напряжение TO-247-3
- Длина ремня 15V
- Шаг Количество ±15V
- 1200 V
- 28 nC @ 15 V
- 730 pF @ 800 V