Инвентаризация:1501

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 21A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 225mOhm @ 8A, 20V
  • Материал феррулы 147W (Tc)
  • Барьерный тип 4.5V @ 500µA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-3
  • Длина ремня 5V, 20V
  • Шаг Количество +23V, -10V
  • 1200 V
  • 36 nC @ 20 V
  • 530 pF @ 1000 V

Сопутствующие товары


SILICON CARBIDE MOSFET, ENHANCEM

Инвентаризация: 240

SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4

Инвентаризация: 32

SIC, MOSFET, 120M, 900V, TO-263-

Инвентаризация: 0

SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3

Инвентаризация: 3704

TRANS SJT N-CH 700V 140A TO247-4

Инвентаризация: 46

MOSFET SIC 1200V 17 MOHM TO-247

Инвентаризация: 2

SICFET N-CH 1700V 7A TO247-3

Инвентаризация: 232

SICFET N-CH 1200V 17A TO247N

Инвентаризация: 1990

N-CHANNEL MOSFET,TO-247AB

Инвентаризация: 306

Top