- Модель продукта G3R350MT12D
- Бренд GeneSiC Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-247-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 11A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 420mOhm @ 4A, 15V
- Материал феррулы 74W (Tc)
- Барьерный тип 2.69V @ 2mA
- Максимальное переменное напряжение TO-247-3
- Длина ремня 15V
- Шаг Количество ±15V
- 1200 V
- 12 nC @ 15 V
- 334 pF @ 800 V
Сопутствующие товары
DIODE ZENER 220V 1.25W DO214AC
Инвентаризация: 5082
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Инвентаризация: 28263
SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3
Инвентаризация: 8703
SIC MOSFET N-CH 71A TO247-3
Инвентаризация: 1732
SIC MOSFET N-CH 9A TO247-3
Инвентаризация: 1528
SIC MOSFET N-CH 41A TO247-3
Инвентаризация: 3429
MOSFET N-CH 1200V 12A TO247
Инвентаризация: 597
SICFET N-CH 1700V 7.6A TO247-3
Инвентаризация: 75424
