- Модель продукта G2R1000MT17D
- Бренд GeneSiC Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:10203
Технические детали
- Тип монтажа TO-247-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 5A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 1.2Ohm @ 2A, 20V
- Материал феррулы 44W (Tc)
- Барьерный тип 5.5V @ 500µA
- Максимальное переменное напряжение TO-247-3
- Длина ремня 20V
- Шаг Количество +25V, -10V
- 1700 V
- 11 nC @ 20 V
- 111 pF @ 1000 V