- Модель продукта G2R1000MT33J
- Бренд GeneSiC Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:4966
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 4A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 1.2Ohm @ 2A, 20V
- Материал феррулы 74W (Tc)
- Барьерный тип 3.5V @ 2mA
- Максимальное переменное напряжение TO-263-7
- Длина ремня 20V
- Шаг Количество +20V, -5V
- 3300 V
- 21 nC @ 20 V
- 238 pF @ 1000 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8-1
Инвентаризация: 12168
3300V 50M TO-247-4 SIC MOSFET
Инвентаризация: 0
SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3
Инвентаризация: 1044
SIC MOSFET N-CH 9A TO247-3
Инвентаризация: 1528
MOSFET N-CH 2000V 1A TO247HV
Инвентаризация: 277
