Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 63A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 50mOhm @ 40A, 20V
  • Материал феррулы 536W (Tc)
  • Барьерный тип 3.5V @ 10mA (Typ)
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-4
  • Длина ремня 20V
  • Шаг Количество +25V, -10V
  • 3300 V
  • 340 nC @ 20 V
  • 7301 pF @ 1000 V

Сопутствующие товары


SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7

Инвентаризация: 3466

SIC MOSFET N-CH TO263-7

Инвентаризация: 639

SIC MOSFET N-CH 124A TO247-4

Инвентаризация: 1299

SIC MOSFET N-CH 61A TO247-3

Инвентаризация: 1013

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 274

IGBT 3000V 80A 400W TO247

Инвентаризация: 370

MOSFET SIC 3300 V 80 MOHM TO-247

Инвентаризация: 2

Top