- Модель продукта G2R50MT33K
- Бренд GeneSiC Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание 3300V 50M TO-247-4 SIC MOSFET
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа TO-247-4
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 63A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 50mOhm @ 40A, 20V
- Материал феррулы 536W (Tc)
- Барьерный тип 3.5V @ 10mA (Typ)
- Максимальное переменное напряжение TO-247-4
- Длина ремня 20V
- Шаг Количество +25V, -10V
- 3300 V
- 340 nC @ 20 V
- 7301 pF @ 1000 V