- Модель продукта G3R45MT17D
- Бренд GeneSiC Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание SIC MOSFET N-CH 61A TO247-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-247-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 61A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 58mOhm @ 40A, 15V
- Материал феррулы 438W (Tc)
- Барьерный тип 2.7V @ 8mA
- Максимальное переменное напряжение TO-247-3
- Длина ремня 15V
- Шаг Количество ±15V
- 1700 V
- 182 nC @ 15 V
- 4523 pF @ 1000 V
Сопутствующие товары
SICFET N-CH 1700V 72A TO247-3
Инвентаризация: 450
SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3
Инвентаризация: 1044
SIC MOSFET N-CH 124A TO247-4
Инвентаризация: 1299
SIC MOSFET N-CH 100A SOT227
Инвентаризация: 158
SIC MOSFET N-CH 61A TO247-4
Инвентаризация: 704
MOSFET SIC 1700 V 45 MOHM TO-247
Инвентаризация: 34
MOSFET SIC 1700V 35 MOHM TO-247-
Инвентаризация: 246
MOSFET SIC 1700V 35 MOHM TO-268
Инвентаризация: 25
JFET N-CH 1200V 63A TO247-3
Инвентаризация: 1038
