- Модель продукта G3R160MT12J-TR
- Бренд GeneSiC Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание 1200V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:6300
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 19A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 180mOhm @ 10A, 18V
- Материал феррулы 110W (Tc)
- Барьерный тип 2.7V @ 5mA
- Максимальное переменное напряжение TO-263-7
- Длина ремня 15V, 18V
- Шаг Количество +22V, -10V
- 1200 V
- 23 nC @ 15 V
- 724 pF @ 800 V
Сопутствующие товары
1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Инвентаризация: 620
SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3
Инвентаризация: 3704
1200V 30M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
Инвентаризация: 1148
SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3
Инвентаризация: 8523
SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7
Инвентаризация: 3651
