- Модель продукта G2R1000MT17J-TR
- Бренд GeneSiC Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание 1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2120
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 5A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 1.2Ohm @ 2A, 20V
- Материал феррулы 44W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 2mA
- Максимальное переменное напряжение TO-263-7
- Длина ремня 20V
- Шаг Количество +20V, -5V
- 1700 V
- 11 nC @ 20 V
- 139 pF @ 1000 V