Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-8, DPak (7 Leads + Tab)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 6A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 940mOhm @ 2.5A, 20V
  • Материал феррулы 63W (Tc)
  • Барьерный тип 3.25V @ 100µA (Typ)
  • Максимальное переменное напряжение D2PAK-7
  • Длина ремня 20V
  • Шаг Количество +23V, -10V
  • 1700 V
  • 11 nC @ 20 V
  • 184 pF @ 1000 V

Сопутствующие товары


SIC MOSFET N-CH 3A TO263-7

Инвентаризация: 12524

SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7

Инвентаризация: 1525

MOSFET SIC 1700V 35 MOHM TO-268

Инвентаризация: 25

TRANS SJT 1700V TO247-4

Инвентаризация: 210

TRANS SJT 1700V D3PAK

Инвентаризация: 513

SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER

Инвентаризация: 742

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL

Инвентаризация: 653

SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 1700V 4A TO268

Инвентаризация: 1527

MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK

Инвентаризация: 2101

Top