Инвентаризация:3025

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 9.8A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 450mOhm @ 2A, 15V
  • Материал феррулы 107W (Tc)
  • Барьерный тип 5.7V @ 2.5mA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TO263-7-13
  • Длина ремня 12V, 15V
  • Шаг Количество +20V, -10V
  • 1700 V
  • 11 nC @ 12 V
  • 610 pF @ 1000 V

Сопутствующие товары


SIC MOSFET N-CH 9A TO247-3

Инвентаризация: 1528

SIC MOSFET N-CH 9A TO263-7

Инвентаризация: 6250

SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7

Инвентаризация: 521

SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7

Инвентаризация: 1898

SICFET N-CH 1.2KV 56A TO263

Инвентаризация: 705

SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO263

Инвентаризация: 1954

SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

Инвентаризация: 825

SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3

Инвентаризация: 1266

Top