Инвентаризация:2325

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 24A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 141mOhm @ 8.9A, 18V
  • Материал феррулы 110W (Tc)
  • Барьерный тип 5.7V @ 2.6mA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TO263-7-12
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +23V, -5V
  • 650 V
  • 15 nC @ 18 V
  • 496 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1.2KV 56A TO263

Инвентаризация: 705

SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO263

Инвентаризация: 1954

SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

Инвентаризация: 925

SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

Инвентаризация: 0

SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

Инвентаризация: 928

SILICON CARBIDE MOSFET

Инвентаризация: 1965

SILICON CARBIDE MOSFET

Инвентаризация: 1804

SILICON CARBIDE MOSFET

Инвентаризация: 1965

MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

Инвентаризация: 631

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 5

Инвентаризация: 510

Top