Инвентаризация:2428

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 17A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 217mOhm @ 5.7A, 18V
  • Материал феррулы 85W (Tc)
  • Барьерный тип 5.7V @ 1.7mA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TO263-7-12
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +23V, -5V
  • 650 V
  • 10 nC @ 18 V
  • 320 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1.2KV 56A TO263

Инвентаризация: 705

SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO263

Инвентаризация: 1954

SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

Инвентаризация: 925

SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

Инвентаризация: 0

SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

Инвентаризация: 825

SILICON CARBIDE MOSFET

Инвентаризация: 2000

SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

Инвентаризация: 268

MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

Инвентаризация: 460

Top