Инвентаризация:1768

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 46A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 50mOhm @ 25A, 18V
  • Материал феррулы 176W (Tc)
  • Барьерный тип 5.7V @ 7.5mA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TO247-3-41
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +20V, -2V
  • 650 V
  • 41 nC @ 18 V
  • 1393 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


SIC_DISCRETE

Инвентаризация: 1147

SICFET N-CH 1.2KV 56A TO263

Инвентаризация: 705

MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

Инвентаризация: 1435

MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

Инвентаризация: 55

MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

Инвентаризация: 52

SIC MOS TO247-3L 650V

Инвентаризация: 285

Top