- Модель продукта IMW65R072M1HXKSA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1555
Технические детали
- Тип монтажа TO-247-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 26A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 94mOhm @ 13.3A, 18V
- Материал феррулы 96W (Tc)
- Барьерный тип 5.7V @ 4mA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO247-3-41
- Длина ремня 18V
- Шаг Количество +23V, -5V
- 650 V
- 22 nC @ 18 V
- 744 pF @ 400 V