Инвентаризация:1560

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 24A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 111mOhm @ 11.2A, 18V
  • Материал феррулы 104W (Tc)
  • Барьерный тип 5.7V @ 3.3mA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TO247-3-41
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +20V, -2V
  • 650 V
  • 19 nC @ 18 V
  • 624 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


650V 120M SIC MOSFET

Инвентаризация: 597

SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

Инвентаризация: 88

MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

Инвентаризация: 52

SIC MOS TO247-3L 650V

Инвентаризация: 178

650V, 118A, THD, TRENCH-STRUCTUR

Инвентаризация: 441

650 V 34 A GAN FET

Инвентаризация: 213

Top