Инвентаризация:1678

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 99A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 28.5mOhm @ 45A, 18V
  • Материал феррулы 348W (Tc)
  • Барьерный тип 4.3V @ 15.5mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-3
  • Длина ремня 15V, 18V
  • Шаг Количество +22V, -8V
  • 650 V
  • 164 nC @ 18 V
  • 3480 pF @ 325 V

Сопутствующие товары


GEN 3 650V 25 M SIC MOSFET

Инвентаризация: 742

MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3

Инвентаризация: 855

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 259

650 V 95 A GAN FET

Инвентаризация: 713

Top