Инвентаризация:1552

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 20A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 142mOhm @ 8.9A, 18V
  • Материал феррулы 75W (Tc)
  • Барьерный тип 5.7V @ 3mA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TO247-3-41
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +23V, -5V
  • 650 V
  • 15 nC @ 18 V
  • 496 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

Инвентаризация: 60

MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

Инвентаризация: 631

MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

Инвентаризация: 240

SIC MOS TO247-3L 650V

Инвентаризация: 285

650 V 35 A GAN FET HIGH VOLTAGE

Инвентаризация: 402

Top