Инвентаризация:1740

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 28A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 94mOhm @ 13.3A, 18V
  • Материал феррулы 96W (Tc)
  • Барьерный тип 5.7V @ 4mA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TO247-4-3
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +23V, -5V
  • 650 V
  • 22 nC @ 18 V
  • 744 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


650V 120M SIC MOSFET

Инвентаризация: 597

MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

Инвентаризация: 55

SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-4

Инвентаризация: 339

MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

Инвентаризация: 460

SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

Инвентаризация: 32

MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

Инвентаризация: 52

Top