- Модель продукта IMZA65R083M1HXKSA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1532
Технические детали
- Тип монтажа TO-247-4
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 26A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 111mOhm @ 11.2A, 18V
- Материал феррулы 104W (Tc)
- Барьерный тип 5.7V @ 3.3mA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO247-4-3
- Длина ремня 18V
- Шаг Количество +20V, -2V
- 650 V
- 19 nC @ 18 V
- 624 pF @ 400 V
Сопутствующие товары
SICFET N-CH 1.2KV 56A TO263
Инвентаризация: 705
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Инвентаризация: 923
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Инвентаризация: 0
SILICON CARBIDE MOSFET
Инвентаризация: 1965
SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Инвентаризация: 60
