- Модель продукта IMBG65R083M1HXTMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 28A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 111mOhm @ 11.2A, 18V
- Материал феррулы 126W (Tc)
- Барьерный тип 5.7V @ 3.3mA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO263-7-12
- Длина ремня 18V
- Шаг Количество +23V, -5V
- 650 V
- 19 nC @ 18 V
- 624 pF @ 400 V