Инвентаризация:2322

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 33A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 94mOhm @ 13.3A, 18V
  • Материал феррулы 140W (Tc)
  • Барьерный тип 5.7V @ 4mA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TO263-7-12
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +23V, -5V
  • 650 V
  • 22 nC @ 18 V
  • 744 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


650V 120M SIC MOSFET

Инвентаризация: 1475

SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263

Инвентаризация: 68

SICFET N-CH 1.2KV 36A TO263

Инвентаризация: 1902

SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

Инвентаризация: 923

SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

Инвентаризация: 0

SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

Инвентаризация: 825

SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

Инвентаризация: 928

SILICON CARBIDE MOSFET

Инвентаризация: 1965

MOSFET N-CH 650V 24A TO263-7

Инвентаризация: 0

SF3 FRFET AUTO, 89MOHM, D2PAK 7L

Инвентаризация: 800

Top