- Модель продукта IPBE65R099CFD7AATMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 650V 24A TO263-7
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 24A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 99mOhm @ 12.5A, 10V
- Материал феррулы 127W (Tc)
- Барьерный тип 4.5V @ 630µA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO263-7-3-10
- Диаметр - Плечо Automotive
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 650 V
- 53 nC @ 10 V
- 2513 pF @ 400 V
- AEC-Q101
Сопутствующие товары
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Инвентаризация: 822
MOSFET N-CH 650V 45A TO263-7
Инвентаризация: 2851
MOSFET N-CH 650V 11A TO263-7
Инвентаризация: 2421
AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V
Инвентаризация: 999
