- Модель продукта IPBE65R230CFD7AATMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 650V 11A TO263-7
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:3921
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 11A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 230mOhm @ 5.2A, 10V
- Материал феррулы 63W (Tc)
- Барьерный тип 4.5V @ 260µA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO263-7-3-10
- Диаметр - Плечо Automotive
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 650 V
- 23 nC @ 10 V
- 1044 pF @ 400 V
- AEC-Q101