- Модель продукта IPBE65R190CFD7AATMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 650V 14A TO263-7
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 14A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 190mOhm @ 6.4A, 10V
- Материал феррулы 77W (Tc)
- Барьерный тип 4.5V @ 320µA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO263-7-11
- Диаметр - Плечо Automotive
- Шаг Количество ±20V
- 650 V
- 7 nC @ 10 V
- 1291 pF @ 400 V
- AEC-Q101
Сопутствующие товары
LOW POWER EASY AG-EASY1B-2
Инвентаризация: 9
IGBT TRENCH FS 650V 80A HSIP247
Инвентаризация: 160
MOSFET N-CH 650V 11A TO263-7
Инвентаризация: 2421
MOSFET N-CH 600V 33A HDSOP-10
Инвентаризация: 0
MOSFET N-CH 600V 24A HDSOP-10
Инвентаризация: 0
