- Модель продукта IMT65R083M1HXUMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание SILICON CARBIDE MOSFET
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerSFN
- Количество витков Surface Mount
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Максимальное переменное напряжение PG-HSOF-8-1
- Длина ремня 18V
- 650 V
Сопутствующие товары
SIC, MOSFET, 60M, 650V, TOLL, IN
Инвентаризация: 2474
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Инвентаризация: 822
SILICON CARBIDE MOSFET
Инвентаризация: 1971
SILICON CARBIDE MOSFET
Инвентаризация: 2000
SILICON CARBIDE MOSFET
Инвентаризация: 2000
SILICON CARBIDE MOSFET
Инвентаризация: 1804
SILICON CARBIDE MOSFET
Инвентаризация: 2000
SILICON CARBIDE MOSFET
Инвентаризация: 1965
SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Инвентаризация: 190
E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
Инвентаризация: 1967
