Инвентаризация:3974

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerSFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 39A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 79mOhm @ 13.2A, 15V
  • Материал феррулы 131W (Tc)
  • Барьерный тип 3.6V @ 3.64mA
  • Максимальное переменное напряжение TOLL
  • Длина ремня 15V
  • Шаг Количество +19V, -8V
  • 650 V
  • 46 nC @ 15 V
  • 1170 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


SIC, MOSFET, 25M, 650V, TOLL, T&

Инвентаризация: 1870

650V 45 M SIC MOSFET

Инвентаризация: 475

SIC, MOSFET, 45M, 650V, TOLL, IN

Инвентаризация: 1803

650V 120M SIC MOSFET

Инвентаризация: 1475

650V 120M SIC MOSFET

Инвентаризация: 597

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 4

Инвентаризация: 735

IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 6USON

Инвентаризация: 5115

Top