Инвентаризация:3370

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerSFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 77A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 34mOhm @ 33.5A, 15V
  • Материал феррулы 326W (Tc)
  • Барьерный тип 3.6V @ 9.22mA
  • Максимальное переменное напряжение TOLL
  • Длина ремня 15V
  • Шаг Количество -8V, +19V
  • 650 V
  • 111 nC @ 15 V
  • 2970 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1200V 90A TO247-3

Инвентаризация: 363

SICFET N-CH 1200V 36A TO247-3

Инвентаризация: 1585

GEN 3 650V 25 M SIC MOSFET

Инвентаризация: 742

650V 25 M SIC MOSFET

Инвентаризация: 418

SIC, MOSFET 25 M, 650V TO-263-7X

Инвентаризация: 800

SIC, MOSFET, 60M, 650V, TOLL, IN

Инвентаризация: 2474

650V 120M SIC MOSFET

Инвентаризация: 597

SILICON CARBIDE MOSFET

Инвентаризация: 262

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3

Инвентаризация: 309

Top