Инвентаризация:2097

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 22A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 157mOhm @ 6.76A, 15V
  • Материал феррулы 98W (Tc)
  • Барьерный тип 3.6V @ 1.86mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-4L
  • Длина ремня 15V
  • Шаг Количество +19V, -8V
  • 650 V
  • 28 nC @ 15 V
  • 640 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


10.00 MM TERMINAL BLOCK, HORIZON

Инвентаризация: 365

SICFET N-CH 650V 120A TO247-4L

Инвентаризация: 879

650V 45 M SIC MOSFET

Инвентаризация: 475

GEN 3 650V 49A SIC MOSFET

Инвентаризация: 19

SICFET N-CH 650V 37A TO247-3

Инвентаризация: 743

SICFET N-CH 650V 37A TO247-4L

Инвентаризация: 136

650V 120M SIC MOSFET

Инвентаризация: 461

60M 650V SIC AUTOMOTIVE MOSFET

Инвентаризация: 39

30A, BRIDGE, GBU

Инвентаризация: 1399

Top