Инвентаризация:1961

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 22A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 157mOhm @ 6.76A, 15V
  • Материал феррулы 98W (Tc)
  • Барьерный тип 3.6V @ 1.86mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-3
  • Длина ремня 15V
  • Шаг Количество +19V, -8V
  • 650 V
  • 28 nC @ 15 V
  • 640 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1200V 30A TO247-4L

Инвентаризация: 1087

650V 120M SIC MOSFET

Инвентаризация: 597

SICFET N-CH 900V 23A TO247-3

Инвентаризация: 6822

SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3

Инвентаризация: 3172

SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3

Инвентаризация: 8523

SIC MOS TO247-3L 650V

Инвентаризация: 285

SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3

Инвентаризация: 335

P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

Инвентаризация: 7588

MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC

Инвентаризация: 0

Top