Инвентаризация:1785

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 66A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 50mOhm @ 25A, 18V
  • Материал феррулы 291W (Tc)
  • Барьерный тип 4.3V @ 8mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-3
  • Длина ремня 15V, 18V
  • Шаг Количество +22V, -8V
  • 650 V
  • 105 nC @ 18 V
  • 1870 pF @ 325 V

Сопутствующие товары


SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

Инвентаризация: 88

SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

Инвентаризация: 102

SIC MOS TO247-4L 650V

Инвентаризация: 660

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 5

Инвентаризация: 510

SIC MOS TO247-3L 650V

Инвентаризация: 178

SIC MOS TO247-3L 650V

Инвентаризация: 515

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E

Инвентаризация: 330

MOSFET N-CH 650V 120A TO247-4

Инвентаризация: 1694

750V/23MOHM, SIC, CASCODE, G4, T

Инвентаризация: 924

Top