Инвентаризация:2160

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 47A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 70mOhm @ 20A, 18V
  • Материал феррулы 176W (Tc)
  • Барьерный тип 4.3V @ 6.5mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-4L
  • Длина ремня 15V, 18V
  • Шаг Количество +22V, -8V
  • 650 V
  • 74 nC @ 18 V
  • 1473 pF @ 325 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 650V 37A TO247-4L

Инвентаризация: 136

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1

Инвентаризация: 2330

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 4

Инвентаризация: 735

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Инвентаризация: 453

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Инвентаризация: 121

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 5

Инвентаризация: 510

SIC MOS TO247-3L 650V

Инвентаризация: 285

SIC MOS D2PAK-7L 650V

Инвентаризация: 2365

SICFET N-CH 650V 39A TO247N

Инвентаризация: 0

Top