Инвентаризация:1621

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 46A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 43mOhm @ 20A, 18V
  • Материал феррулы 221W (Tc)
  • Барьерный тип 4.3V @ 5mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-4L
  • Длина ремня 15V, 18V
  • Шаг Количество +22V, -8V
  • 900 V
  • 87 nC @ 15 V
  • 1770 pF @ 450 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7

Инвентаризация: 4286

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Инвентаризация: 450

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Инвентаризация: 453

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1

Инвентаризация: 342

-

Инвентаризация: 899

750V, 26M, 4-PIN THD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 3841

1200V, 36M, 4-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 4781

MOSFET N-CH 800V 54.9A TO247-3

Инвентаризация: 928

Top