Инвентаризация:2399

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 46A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 84mOhm @ 20A, 15V
  • Материал феррулы 221W (Tc)
  • Барьерный тип 4.3V @ 5mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-4L
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • Длина ремня 15V, 18V
  • Шаг Количество +22V, -8V
  • 900 V
  • 87 nC @ 15 V
  • 1770 pF @ 450 V
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Инвентаризация: 121

SICFET N-CH 900V 118A TO247-3

Инвентаризация: 249

MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3

Инвентаризация: 450

MOSFET N-CH 40V 8PQFN

Инвентаризация: 5525

MOSFET N-CH 650V 40A TO220F

Инвентаризация: 646

MOSFET N-CH 650V 65A TO247-4

Инвентаризация: 448

SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247

Инвентаризация: 413

SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3

Инвентаризация: 738

MOSFET N-CH 650V 58A TO247-3

Инвентаризация: 436

SICFET N-CH 900V 46A TO247-3

Инвентаризация: 404

Top