Инвентаризация:5786

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 35A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 78mOhm @ 20A, 15V
  • Материал феррулы 113W (Tc)
  • Барьерный тип 3.5V @ 5mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-263-7
  • Длина ремня 15V
  • Шаг Количество +19V, -8V
  • 900 V
  • 30 nC @ 15 V
  • 660 pF @ 600 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 900V 36A TO247-3

Инвентаризация: 2044

SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7

Инвентаризация: 2211

650V 120M SIC MOSFET

Инвентаризация: 597

SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7

Инвентаризация: 6482

SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7

Инвентаризация: 1213

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Инвентаризация: 121

Top