Инвентаризация:1842

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 163A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 18mOhm @ 75A, 18V
  • Материал феррулы 643W (Tc)
  • Барьерный тип 4.3V @ 25mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-3
  • Длина ремня 15V, 18V
  • Шаг Количество +22V, -8V
  • 650 V
  • 283 nC @ 18 V
  • 4790 pF @ 325 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 650V 120A TO247-3

Инвентаризация: 912

SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3

Инвентаризация: 8523

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 0

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 47

MOSFET N-CH 600V 109A TO247-4

Инвентаризация: 208

MOSFET N-CH 650V 145A SOT227B

Инвентаризация: 778

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Инвентаризация: 133

SIC MOS TO247-3L 650V

Инвентаризация: 178

SICFET N-CH 650V 70A TO247N

Инвентаризация: 9107

SICFET N-CH 650V 85A TO247-3

Инвентаризация: 948

Top