Инвентаризация:2412

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 120A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 21mOhm @ 55.8A, 15V
  • Материал феррулы 416W (Tc)
  • Барьерный тип 3.6V @ 15.5mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-3
  • Длина ремня 15V
  • Шаг Количество +15V, -4V
  • 650 V
  • 188 nC @ 15 V
  • 5011 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 650V 120A TO247-4L

Инвентаризация: 879

GEN 3 650V 25 M SIC MOSFET

Инвентаризация: 742

SIC, MOSFET, 25M, 650V, TOLL, T&

Инвентаризация: 1870

MOSFET N CH

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 600V 101A TO247-4-3

Инвентаризация: 205

SICFET N-CH 650V 118A TO247N

Инвентаризация: 1106

N-CHANNEL MOSFET,TO-247AB

Инвентаризация: 306

MOSFET N-CH 650V 138A MAX247

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 650V 85A TO247-3

Инвентаризация: 948

Top