Инвентаризация:2448

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Cascode SiCJFET)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 85A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 35mOhm @ 50A, 12V
  • Материал феррулы 441W (Tc)
  • Барьерный тип 6V @ 10mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-3
  • Длина ремня 12V
  • Шаг Количество ±25V
  • 650 V
  • 51 nC @ 15 V
  • 1500 pF @ 100 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 650V 120A TO247-3

Инвентаризация: 912

SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

Инвентаризация: 120

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1

Инвентаризация: 342

SICFET N-CH 650V 70A TO247N

Инвентаризация: 9107

GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3

Инвентаризация: 590

MOSFET N-CH 650V 65A TO263

Инвентаризация: 4623

1200V/23MOHM SIC STACKED FAST CA

Инвентаризация: 1501

750V/23MOHM, SIC, CASCODE, G4, T

Инвентаризация: 924

SICFET N-CH 750V 120A TOLL

Инвентаризация: 1356

Top